郝跃
个人信息:Personal Information
教授
性别:男
毕业院校:西安交通大学
学历:博士研究生毕业
学位:博士学位
在职信息:在岗
所在单位:集成电路学部
学科:集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
扫描关注
专利
当前位置: 中文主页 >> bepaly手机下载 >> 专利- 基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法
- 基于机械弯曲台的AlN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
- 基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
- 晶圆级单轴应变SGOI的制作方法
- 基于高级加密标准AES的128比特位密钥扩展方法
- 基于AES的192比特位密钥扩展系统及方法
- 256比特位密钥扩展系统及方法
- 基于JPEG2000标准的多线程算术编码电路和方法
- 紫外发光二极管器件及其制造方法
- a面GaN外延层薄膜腐蚀应力的拉曼表征方法
- XXXXXX
- AlGaN极化紫外光电探测器
- 零开销切换多线程处理器及其线程切换方法
- XXXXXX
- XXXXXX
- 横向过生长一维电子气GaN基HEMT器件及制备方法
- 并行排序电路及并行排序方法
- 氮化镓基增强耗尽型电平转换电路
- 基于机械弯曲台的AlN埋绝缘层上单轴应变SGOI晶圆的制作方法
- 基于SiN埋绝缘层的机械致单轴应变GeOI晶圆的制作方法
- 晶圆级单轴应变SGOI的制作方法
- 基于高级加密标准AES的128比特位密钥扩展方法
- 基于AES的192比特位密钥扩展系统及方法
- GaN基的MS栅增强型高电子迁移率晶体管及制作方法
- 256比特位密钥扩展系统及方法
- 基于GaN的MIS栅增强型HEMT器件及制作方法
- 基于JPEG2000标准的多线程算术编码电路和方法
|