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团队名称:宽禁带半导体材料与器件研究团队
团队介绍:课题组在宽禁带半导体专家郝跃院士领导下,近年来在GaN、SiC宽禁带半导体材料生长设备研制、氮化物及其异质结材料外延生长、器件工艺、器件结构优化和研制等方面开展了大量研究工作。西电基于自主MOCVD设备在2003年初研制出国内第一片SiC衬底AlGaNGaN异质结材料和HEMT射频功率器件。西电研制的AlGaN/GaN异质结材料室温2DEG迁移率和面密度乘积高达2.45×1016/Vs(对应方块电阻255Ω/□),保持着国内最高水平。沿着基于自主研发设备->基于自主研发设备生长高质量的异质结材料->基于生长的材料完成器件设计和工艺流片->完成器件的射频测试、封装等后道工艺这条研究主线,西电独立承担了国家重大专项中GaN功率器件的研制,目前连续波功率最高达到60W@6GHz。对于高效率的新的器件结构,beoplay体育提现也在绝缘栅MIS结构、薄势垒凹槽结构的研究上取得了显著的成绩,目前的绝缘栅GaN HEMT器件的输出功率达到10W/mm@4GHz,PAE大于60%,达到国际先进水平。在GaN射频功率器件研制方面,先后获得国家技术发明二等奖1项,省部级一等奖2项,二等奖2项,目前授权国家发明专利30多项,受理国家发明专利50多项。迄今在III族氮化物材料和器件研究方面发表学术论文300余篇,SCI索引近200余篇,授权国家发明专利64项,软件著作权4项,于2009年和2015年分别获国家技术发明奖二等奖,2011年和2014年分别获陕西省科学进步一等奖。
[1]1.新型半导体材料与器件制备研究
2.新型宽带隙半导体材料(GaN、氧化稼)透射电子显微镜的原位结构表征
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