孙静，陕西西安人，工学博士，讲师，硕士生导师。

2015年7月至2020年12月，beoplay体育提现，博士，材料物理与化学专业，师从马晓华教授；

2019年10月至2020年10月，Northwestern University，博士联合培养，导师John A. Rogers；

2011年8月至2015年7月，beoplay体育提现，电子科学与技术专业，本科。

长期从事宽禁带半导体材料与器件、新型信息存储技术等方面的研究。先后主持了国家自然科学基金青年项目、陕西省自然科学基础研究计划青年项目、广东省基础与应用基础研究项目、中央高校基本业务费等，参与了多项国家科技重大专项、国家自然科学基金面上项目等。以第一作者身份在"Small"、“Science-China Materials”“IEEE Electron Device Letters”等国际期刊上发表论文十余篇，相关研究成果被IEEE Spectrum作为研究亮点进行报道，获得授权发明专利4项，申请发明专利十余项，担任多个著名期刊审稿人。

欢迎有志于宽禁带半导体材料与器件、新型信息存储等方向的研究生咨询与加盟！

部分研究成果：

[1] J. Sun, Z. Wang, X. Wang, Y. Zhou, Y. Wang, Y. He, Y. Lei, H. Wang, X. Ma. Security enhancement of artificial neural network using physically transient form of heterogeneous memristors with tunable resistive switching behaviors. Science China Materials, 2024, 67(9): 2856-2865. （IF=6.8）

[2] Z. Wang, X. Wang, Y. Ma, J. Sun*, S. Wang, Y. Jia, Y. He, X. Lu, D. Lin, Q. Zhu, Y. Shang, L. Liu, H. Chen, X. Ma. IEEE Electron Device Letters, 2024, DOI: 10.1109/LED.2024.3437459. （电子器件领域Top期刊，IF=4.1）

[3] J. Sun, Z. Wang, S. Wang, Y. Cao, H. Gao, H. Wang, X. Ma, Y. Hao. Transient form of polyvinyl alcohol-based devices with configurable resistive switching behavior for security neuromorphic computing. Applied Physics Letters, 122, 173505, 2023. （应用物理领域的Top期刊，IF=4）

[4] J. Sun, Z. Wang, S. Wang, M. Yang, H. Gao, H. Wang, X. Ma, Y. Hao. Physical unclonable functions based on transient form of memristors for emergency defenses. IEEE Electron Device Letters, 43, 378, 2022. （电子器件领域Top期刊，IF=4.1）

[5] J. Sun, H. Wang, F. Song, Z. Wang, B. Dang, M. Yang, H. Gao, X. Ma, Y. Hao. Physically transient threshold switching device based on magnesium oxide for security application. Small, 14, 1800945, 2018. (封面文章) （中科院一区TOP，IF=10.856）

[6] J. Sun, H. Wang, Z. Wang, F. Song, Q. Zhu, B. Dang, H. Gao, M. Yang, X. Ma, Y. Hao. Physically transient memristive synapse with short-term plasticity based on magnesium oxide. IEEE Electron Device Letters, 40, 706, 2019. (IEEE Spectrum特别报道) （电子器件领域Top期刊，IF=4.1）

[7] J. Sun, Z. Wang, F. Song, S. Wang, M. Zhao, H. Gao, M. Yang, H. Wang, X. Ma, Y. Hao. Physically transient resistive switching memory with material implication operation. IEEE Electron Device Letters, 40, 1618, 2019. （电子器件领域Top期刊，IF=4.1）

[8] Z. Wang, K. Cheng, J. Sun(co-author), X. Wang, G. Wang, X. Liu, Y. Jia, T. Li, Y. Lei, Z. Wang, H. Chen, X. Ma. Ultra-wide bandgap quasi two-dimensional β-Ga₂O₃ with highly in-plane anisotropy for power electronics. Applied Surface Science, 619，156771, 2023. (IF=6.7）

[9] J. Sun, H. Wang, S. Wu, F. Song, Z. Wang, H. Gao, X. Ma. Electric crosstalk effect in valence change resistive random access memory. Journal of Electronic Materials, 46, 5296, 2017.

[10] J. Sun, H. Wang, Z. Wang, S. Wu, X. Ma. Contact-size-dependent cutoff frequency of bottom-contact organic thin film transistors. Chinese Physics Letters, 32, 107304, 2015.

[11] Z. Wang, J. Sun(co-author), H. Wang, Y. Lei, Y. Xie, G. Wang, Y. Zhao, X. Li, H. Xu, X. Yang, L. Feng, X. Ma. 2H/1T’ phase WS_2(1−x)Te_2x alloys grown by chemical vapor deposition with tunable band structures. Applied Surface Science, 504, 144371, 2020. (IF=6.7）