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个人信息：Personal Information
教授
性别：男
毕业院校：西安交通大学
学历：博士研究生毕业
学位：工学博士学位
在职信息：在岗
所在单位：集成电路学部
学科：等离子体物理 集成电路系统设计 微电子学与固体电子学
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论文成果
当前位置: 中文主页 >> bepaly手机下载 >> 论文成果- [1]A step-by-step experiment of 3C-SiC hetero-epitaxial growth on 4H-SiC by CVD.APPLIED SURFACE SCIENCE.2015,357 :985-993
- [2]Investigation of proton irradiation effects on InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors.SOLID-STATE ELECTRONICS.2015,109 :52-57
- [3]Super-V-shaped structure on 3C-SiC grown on the C-face of 4H-SiC.JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS.2016,49 (33)
- [4]Kinetic mechanism of V-shaped twinning in 3C/4H-SiC heteroepitaxy.JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A.2016,34 (3)
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