韩根全教授，二级教授，博士生导师，后摩尔器件与芯片实验室主任，国家重点研发计划项目首席科学家。获得陕西省青年科技奖和电子学会优秀毕业论文优秀导师奖。
韩根全教授本科毕业于清华大学，2003年保送到半导体所直博研究生。2008年毕业后加入新加坡国立大学从事高端CMOS器件研究工作，期间带领一个团队在高迁移率GeSn沟道MOSFET器件研制方面取得了国际领先的原创性研究成果，被Semiconductor Today等网站多次转载报道。
创新成果：
韩根全教授回国后主要从事后摩尔新型微电子器件、芯片和Ga2O3功率器件研究。2019年创新发现不定型类铁电栅介质材料并实现非易失晶体管器件，有望颠覆德国人发现的多晶掺杂HfO2基铁电系列，推动非易失嵌入式存储器在FinFET/Nanosheet FET等先进3D晶体管中的应用。2019年通过智能剥离和转移技术（与中科院微系统所欧欣研究员合作）实现高导热衬底的Ga2O3功率器件，彻底解决Ga2O3导热问题，该成果为Compound Semiconductors网站报道，美国DARPA跟踪研究。
学术贡献：
韩根全教授围绕后摩尔新型微电子器件和芯片取得了一系列重要研究成果，在微电子器件重要会议IEEE International Electron Devices Meeting/IEEE Symposium on VLSI Technology和IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices等微电子器件旗舰期刊发表SCI论文200多篇。目前为IEEE Electron Device Letters编辑（大陆第一位），多次担任国际会议Committee和Session Chair。
科研经历：
2015年5月~现在beoplay体育提现微电子学院教授博导
2013年5月~2015年12月重庆大学光电工程学院“百人计划”研究员博导
2014年1月~2016年12月beoplay体育提现兼职教授
2008年6月~2013年5月新加坡国立大学Research Fellow
2003年9月~2008年6月中国科学院半导体研究所博士
研究方向：
1）先进CMOS器件
2）FeFET储存器件/嵌入式存储阵列和芯片
3）存算一体/边缘计算芯片设计，外围电路设计以及流片
4）人工类脑器件、芯片算法、架构和芯片
5）先进低维微电子物理、材料和器件研究
6）Ga2O3功率器件和模块
邮箱：gqhan@xidian.edu.cn
