一种基于自终止转移的大功率器件及其制备方法

CN201910028105.0

2021-07-02

宓珉瀚;马晓华;武盛;郝跃

基于单片异质集成的Cascode结构GaN高电子迁移率晶体管及制作方法

CN201910024910.6

2021-07-20

张春福;张苇杭;张家祺;陈大正;张进成;郝跃

一种分段伪数据加权平均DEM电路

CN201910049492.6

2021-08-06

朱樟明;常科;刘术彬;丁瑞雪;刘帘曦;杨银堂

非极性InAlN/GaN高电子迁移率晶体管及制备方法

CN201910060484.1

2021-03-30

张雅超;马晓华;任泽阳;张进成;郝跃

具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法

CN201910079724.2

2021-09-28

段宝兴;王彦东;杨珞云;杨银堂

具有AlGaN/GaN异质结的垂直型场效应晶体管及其制作方法

CN201910080193.9

2021-09-28

段宝兴;王彦东;杨珞云;杨银堂

一种GaN器件欧姆接触的改良方法

CN201910095568.9

2021-07-02

郑雪峰;陈管君;陈轶昕;王小虎;马晓华;郝跃

一种GaN器件栅金属/半导体界面的改善方法

CN201910095569.3

2021-03-23

郑雪峰;陈管君;马晓华;董帅帅;王小虎;郝跃

一种混合结构SAR-VCO ADC

CN201910127588.X

2021-01-05

丁瑞雪;党力;孙德鹏;刘术彬;丁华钰;朱樟明;杨银堂

一种硬件木马检测方法及装置

CN201910157633.6

2021-02-26

史江义;许志鹏;员维维;马佩军

基于化合物材料MISFET器件的热电子效应表征方法

CN201910173484.2

2021-11-19

郑雪峰;李纲;王小虎;陈管君;马晓华;郝跃

一种MIS-HEMT器件的热电子效应测试结构及其表征方法

CN201910172827.3

2021-09-21

郑雪峰;马晓华;李纲;王小虎;陈管君;郝跃

超宽带脉冲信号发射装置及超宽带脉冲雷达系统

CN201910181487.0

2021-03-23

刘马良;肖金海;高吉;朱樟明;杨银堂

一种亚采样鉴相器及其锁相环

CN201910181490.2

2021-01-08

刘马良;朱禹;肖金海;朱樟明;杨银堂

一种垂直功率器件及其制作方法

CN201910189814.7

2021-02-26

何云龙;马晓华;郝跃;杨凌;王冲;毛维

基于隧穿场效应晶体管的半导体生物传感器及其制备方法

CN201910224882.2

2021-04-06

李聪;郭嘉敏;庄奕琪;闫志蕊;刘伟峰;李振荣;汤华莲

一种多路交错结构及宽输入电动汽车高效能量回收系统

CN201910230378.3

2021-06-15

吴勇;檀生辉;王东;陈兴;伍旭东;张金生;卫祥;何滇;张玉明

一种基于快充电池的高效率能量回收系统

CN201910230382.X

2021-06-04

檀生辉;吴勇;王东;陈兴;伍旭东;张金生;卫祥;何滇;张玉明

一种多路内插时域交织电流源开关的数模转换器

CN201910262479.9

2021-08-10

刘马良;朱海鹏;朱樟明;杨银堂

碳化硅平面垂直型场效应晶体管及其制作方法

CN201910304405.7

2021-04-13

段宝兴;王彦东;黄芸佳;杨银堂

具有电荷补偿层和低阻通道的VDMOS及其制作方法

CN201910305038.2

2021-04-13

段宝兴;王彦东;杨鑫;杨银堂

一种横向结型栅双极晶体管及其制作方法

CN201910304397.6

2021-06-18

段宝兴;孙李诚;王彦东;杨银堂

一种逐次逼近型模数转换器

CN201910305821.9

2021-04-20

朱樟明;李哲;张延博;刘术彬;丁瑞雪;刘马良

一种横向肖特基栅双极晶体管及其制作方法

CN201910304385.3

2021-04-13

段宝兴;孙李诚;王彦东;杨银堂

一种基于dummy电容单边电荷共享的开关时序电路及方法

CN201910309722.8

2021-04-20

朱樟明;岳培艺;张延博;刘术彬;王静宇

一种应用于生物电势处理的自反馈低噪声放大器

CN201910309710.5

2021-05-14

朱樟明;张先哲;王静宇;刘术彬

一种非对称的SAR ADC电容开关时序电路及方法

CN201910309734.0

2021-01-08

朱樟明;岳培艺;张延博;刘术彬;王静宇

一种具有阶梯N型重掺杂埋层的半超结横向双扩散金属氧化物半导体场效应管

CN201910319235.X

2021-01-01

黄俊杰;段宝兴;杨鑫;杨银堂

一种孔径式复合衬底氮化镓器件及其制备方法

CN201910326087.4

2021-01-15

任泽阳;吕丹丹;张金风;张进成;张雅超;苏凯;郝跃

一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法

CN201910326079.X

2021-01-15

任泽阳;张金风;吕丹丹;张进成;苏凯;张雅超;郝跃

一种共振隧穿二极管及其制作方法

CN201910365950.7

2021-05-07

杨林安;马遥;容涛涛;张凯;马晓华;郝跃

一种基于VCO量化器的Sigma-Delta调制器

CN201910429272.6

2021-07-02

朱樟明;朱冬琳;刘马良;刘术彬;刘帘曦;杨银堂

具有结型栅AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法

CN201910440263.7

2021-04-13

段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂

具有肖特基势垒AlGaN/GaN异质结的横向晶体管及其制作方法

CN201910440262.2

2021-01-01

段宝兴;王彦东;孙李诚;杨银堂

一种电流复用型gm-boost低噪声放大器的集成电路

CN201910452587.2

2021-03-23

朱樟明;刘继业;刘术彬;丁瑞雪;刘帘曦

一种4H-SiC侧栅集成SBD MOSFET器件及其制备方法

CN201910458081.2

2021-11-02

宋庆文;张玉明;白瑞杰;汤晓燕;张艺蒙;王悦湖

一种半沟槽离子注入的混合PiN肖特基二极管

CN201910459149.9

2021-07-09

宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;王栋

一种抑制CAN总线收发器总线端反向电流的装置

CN201910458094.X

2021-03-23

杨力宏;朱樟明;单光宝;杨银堂;刘术彬

一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管

CN201910459108.X

2021-04-13

宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;王栋

一种改善正向特性的槽型混合PiN肖特基二极管

CN201910459150.1

2021-04-06

宋庆文;王栋;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙

一种薄层二维过渡金属碲基固溶体的制备方法

CN201910465347.6

2021-08-06

马晓华;王湛;王冠飞;孙静;周伟凡;于谦;王浩林;谢涌

一种多波长的光交换单元设计方法

CN201910460570.1

2021-05-18

顾华玺;黄蕾;樊雨微;朱樟明;王琨

一种栅控双极-场效应复合碳化硅LDMOS

CN201910471436.1

2021-04-13

段宝兴;董自明;杨银堂

一种栅控双极-场效应复合元素半导体基横向双扩散金属氧化物半导体晶体管

CN201910470309.X

2021-04-13

段宝兴;董自明;杨银堂

一种栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS

CN201910471455.4

2021-04-13

段宝兴;董自明;杨银堂

一种基于CH₃NH₃PbI₃和Al₂O₃材料的MOS电容光敏器件及其制备方法

CN201910470603.0

2021-03-23

贾仁需;刘晶煌;李欢;庞体强;汪钰成;杜永琪

一种栅控双极-场效应复合碳化硅垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管

CN201910471454.X

2021-01-01

段宝兴;董自明;杨银堂

一种基于高次模的双层堆叠式差分微波带通滤波器

CN201910477540.1

2021-03-23

刘晓贤;朱樟明;刘阳;卢启军;尹湘坤;杨银堂

一种无运放MDAC型时间域ADC结构

CN201910497902.3

2021-06-04

刘马良;段江坤;刘海珠;朱樟明;杨银堂

一种多相时钟产生电路

CN201910502897.0

2021-01-22

朱樟明;刘马良;高吉;肖金海;杨银堂

基于石墨烯的氮化镓外延层剥离方法

CN201910544984.2

2021-04-06

宁静;贾彦青;张进成;闫朝超;王东;王博宇;马佩军;郝跃

在基于图形化蓝宝石衬底的石墨烯上生长氮化镓的方法

CN201910544998.4

2021-03-23

宁静;闫朝超;王东;张进成;贾彦青;王博宇

一种一步1.5位逐次逼近型模数转换器

CN201910631148.8

2021-02-26

李登全;刘云鹏;刘马良;朱樟明;丁瑞雪;杨银堂

一种基于异质外延Ga₂O₃薄膜深紫外光电探测器的制备方法

CN201910634459.X

2021-10-29

张春福;许育;安志远;张进成;郝跃;陈大正

阴阳极交替的大电流GaN肖特基二极管及其制作方法

CN201910664067.8

2021-02-02

陈大正;张春福;吴艺聪;赵胜雷;张雅超;朱卫东;张进成;郝跃

氮化镓肖特基二极管及其制作方法

CN201910664076.7

2021-04-27

张春福;陈大正;赵化彬;赵胜雷;张雅超;朱卫东;张进成;郝跃

一种射频毫米波亚采样级联的DAC反馈锁相环

CN201910677851.2

2021-07-09

刘马良;肖金海;朱樟明;杨银堂

一种时间域ADC全摆幅前端电路

CN201910745820.6

2021-07-02

刘马良;朱禹;朱樟明;杨银堂

一种栅控双极-场效应复合氮化镓垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管

CN201910750433.1

2021-06-18

段宝兴;智常乐;董自明;张一攀;杨银堂

具有部分宽禁带材料/硅材料异质结的IGBT及其制作方法

CN201910754050.1

2021-01-29

段宝兴;杨鑫;王夏萌;孙李诚;张一攀;杨银堂

一种快速锁定的延迟链锁相环

CN201910760653.2

2021-02-26

朱樟明;张玮;马瑞;刘马良;王夏宇;胡进

一种高精度低回踢噪声的时钟再生延迟链

CN201910759880.3

2021-08-10

朱樟明;张玮;马瑞;刘马良;王夏宇;胡进

一种锁相环

CN201910796823.2

2021-10-08

刘术彬;阮予;韩昊霖;朱樟明;杨银堂

一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法

CN201910797917.1

2021-11-02

吕红亮;乔世兴;李少军;武岳;张玉明

一种InP HEMT小信号等效电路模型及其参数提取方法

CN201910796843.X

2021-07-16

吕红亮;乔世兴;李少军;张玉明;武岳

一种InP HEMT器件噪声等效电路模型建立方法

CN201910796831.7

2021-08-10

吕红亮;乔世兴;李苗;李少军;武岳;张玉明

一种CMOS图像传感器像素结构及其制作方法

CN201910816107.6

2021-10-29

杨翠;彭国良;陈育良;毛维;张建奇

一种多路大功率LED驱动电路

CN201910838634.7

2021-09-14

张艺蒙;容广健;张玉明;宋庆文;汤晓燕

一种量化信号时间差值电路

CN201910865764.X

2021-06-15

刘马良;王云尉;丁瑞雪;朱樟明;杨银堂

基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法

CN201910860000.1

2021-11-02

张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃

基于键合的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法

CN201910860761.7

2021-10-29

张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃

基于智能剥离技术的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管及制作方法

CN201910860757.0

2021-10-29

张春福;张家祺;武毅畅;陈大正;张进成;郝跃

一种多层次融合的三维系统集成结构

CN201910864219.9

2021-03-19

杨力宏;单光宝;朱樟明;李国良;卢启军;杨银堂

一种多层次融合的三维系统集成结构的制备方法

CN201910864218.4

2021-03-19

单光宝;杨力宏;李国良;朱樟明;卢启军;杨银堂

一种应用于热电能量获取的多模式BOOST转换器

CN201910935324.7

2021-08-24

刘帘曦;邢奕赫;黄超进;田宇渊;朱樟明

阳极边缘浮空的GaN微波二极管及制备方法

CN201910976688.X

2021-01-05

张进成;党魁;周弘;张涛;张苇杭;宁静;郝跃

大功率阴阳极环形叉指GaN准垂直pn结二极管及制备方法

CN201910993203.8

2021-07-20

张进成;刘俊伟;赵胜雷;刘志宏;张雅超;张苇杭;段小玲;许晟瑞;郝跃

基于六方氮化硼和氮化铝在金刚石衬底上生长氮化镓的方法

CN201911003262.2

2021-09-28

宁静;刘起显;王东;张进成;贾彦青;闫朝超;郝跃

一种GaAs pHEMT 2/3双模分频电路

CN201911012173.4

2021-09-10

吕红亮;赵冉冉;乔世兴;武岳;张玉明

一种基于双MOS栅控的N型碳化硅晶闸管及其制备方法

CN201911066932.5

2021-03-30

元磊;杨柳;汤晓燕;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门

一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管及其制备方法

CN201911067748.2

2021-03-23

汤晓燕;周腾鹏;元磊;宋庆文;张艺蒙;张玉明;张义门

一种高温PIN-PHT压电陶瓷及其制备方法

CN201911101010.3

2021-09-21

闫养希;李智敏;侯鹅;张茂林;张东岩;郝跃

一种面向APD探测器阵列的非均匀性校正电路

CN201911121044.9

2021-06-15

王斌;肖天佑;郝丹阳;胡辉勇;舒斌;王利明;韩本光

一种多孔介电材料及其制备方法、电容式压力传感器

CN201911158690.2

2021-11-02

李杨;杨嘉怡;敖金平

基于黑磷纳米条阵列和金属光栅狭缝的超吸收结构

CN201911198772.X

2021-04-27

刘艳;黄炎;韩根全;郝跃

基于MoS₂/Ga₂O₃异质结的光电探测器、制备方法及应用

CN201911170523.X

2021-07-27

苏杰;田珂;张鹏亮;林珍华;常晶晶

一种支持多路电连接TSV通孔

CN201911177540.6

2021-04-02

单光宝;李国良;卢启军;朱樟明;刘阳;杨银堂

一种回收芯片检测方法

CN201911192833.1

2021-07-02

史江义;张华春;吴秋纬;马佩军;孟坤;李鹏飞;郭海;赵博

多级耦合栅隧穿场效应晶体管及制作方法

CN201911217900.0

2021-07-06

毛维;何元浩;高北鸾;彭紫玲;杜鸣;马佩军;张进成;郝跃

隧穿场效应晶体管及其制作方法

CN201911217921.2

2021-07-06

毛维;何元浩;刘晓雨;马佩军;杜鸣;张进成;郝跃

一种面向激光雷达线性/盖格模式兼容门控采样前端电路

CN201911223181.3

2021-07-23

刘马良;黎雄政;马家骥;朱樟明;杨银堂

一种三路测试的单粒子瞬态脉冲宽度测量电路

CN201911283289.1

2021-05-11

刘毅;张文静;柳鑫炜;杨帆;杨银堂

一种基于片上网络结构的柔性电子系统

CN201911283225.1

2021-05-11

范凌怡;翁笑冬;刘毅;杨银堂

具有调控中间层覆盖的结终端扩展终端结构及其制备方法

CN201911381321.X

2021-08-24

韩超;孔龙龙;王婷钰;张玉明;汤晓燕;宋庆文

一种IGBT性能退化特征参数的提取方法

CN201911389455.6

2021-05-14

游海龙;胡金宝;张金力

一种压力检测装置及系统

CN202010014458.8

2021-08-10

李杨;杨嘉怡;敖金平

一种数字低压差稳压器

CN202010042828.9

2021-08-10

史江义;赵博;叶晓伟;马佩军

基于时间数字转换器的集成电路工艺可信检测方法及电路

CN202010043955.0

2021-08-20

史江义;孟坤;郭海;马佩军;张华春;李鹏飞;吴秋纬;赵博

一种超低功耗基准电路及其采样方法

CN202010094479.5

2021-03-19

刘帘曦;云梦晗;黄文斌;邢奕赫;朱樟明

基于跨导补偿法的类Fin侧墙调制的HEMT器件及其制备方法

CN202010177072.9

2021-09-14

宓珉瀚;马晓华;王鹏飞;张濛;郝跃

基于P-GaN帽层和叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法

CN202010256166.5

2021-05-07

杨凌;侯斌;王军;宓珉瀚;张蒙;马晓华;郝跃

一种基于叉指结构的横向肖特基二极管及其制备方法

CN202010255504.3

2021-07-09

杨凌;王军;宓珉瀚;侯斌;张蒙;马晓华;郝跃

一种集成TJBS的碳化硅UMOSFET器件

CN202010490801.6

2021-10-08

汤晓燕;余意;何艳静;袁昊;宋庆文;张玉明

一种集成JBS的碳化硅UMOSFET器件

CN202010490791.6

2021-10-08

汤晓燕;余意;袁昊;何艳静;宋庆文;张玉明

基于空气隔热层的MEMS微热板及其制作方法

CN202010505550.4

2021-04-27

杨翠;毛维;闵星;艾治州;史芝纲;王晓飞

低电磁损耗的硅基氮化镓微波毫米波传输线及其制备方法

CN202010530384.3

2021-12-21

刘志宏;宋昆璐;张进成;刘俊伟;郝璐;周弘;赵胜雷;张苇杭;段小玲;郝跃

一种单晶金刚石与衬底无损耗快速分离方法

CN202010653578.2

2021-10-26

任泽阳;邢雨菲;张金风;张进成;何琦;苏凯;郝跃

一种硅基结型积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法

CN202010699370.4

2021-06-18

段宝兴;王彦东;杨银堂

一种硅基肖特基积累层和缓冲层横向双扩散场效应晶体管及其制作方法

CN202010699364.9

2021-06-18

段宝兴;王彦东;杨银堂

具有P型变掺杂基区的碳化硅基DSRD器件及其制备方法

CN202010713459.1

2021-11-19

汤晓燕;周瑜;宋庆文;袁昊;何艳静;张玉明

一种沟槽型SiC JBS二极管器件及其制备方法

CN202010734362.9

2021-09-24

袁昊;刘延聪;何艳静;胡彦飞;宋庆文;汤晓燕;张玉明

一种SiC MPS二极管器件及其制备方法

CN202010734370.3

2021-09-24

何艳静;刘延聪;胡彦飞;袁昊;汤晓燕;宋庆文;张玉明

结型栅-漏功率器件

CN202010735308.6

2021-08-20

毛维;高北鸾;杨翠;马佩军;张金风;郑雪峰;王冲;张进成;马晓华;郝跃

异质结场效应晶体管

CN202010735936.4

2021-11-09

毛维;王海永;杨翠;张金风;马佩军;郑雪峰;王冲;张进成;马晓华;郝跃

功率开关器件及其制作方法

CN202010735925.6

2021-08-20

毛维;高北鸾;杜鸣;赵胜雷;马佩军;张雅超;何晓宁;张进成;马晓华;郝跃

增强型高电子迁移率晶体管及其制作方法

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2021-04-27

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