西电新闻网讯（通讯员 刘志宏）11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛&第二十一届中国国际半导体照明论坛（IFWS&SSLCHINA2024）在苏州召开。此次论坛汇聚了众多院士及产业链各环节的逾千名代表，共同探讨第三代半导体技术的最新发展与未来趋势。在11月19日开幕式上，2024年度中国第三代半导体技术十大进展重磅揭晓，这些进展不仅代表了行业的技术前沿，也预示着产业发展的新方向，受到了与会代表的广泛关注和热烈讨论，其中广州第三代半导体创新中心“6-8英寸蓝宝石基氮化镓中高压电力电子器件技术实现重大突破”入选2024年度中国第三代半导体技术十大进展。

beoplay体育提现广州第三代半导体创新中心郝跃院士课题组张进成教授、李祥东教授团队成功攻克了6-8英寸蓝宝石基GaN电力电子器件的外延、设计、制造和可靠性等系列难题，基于低翘曲超薄外延、高质量双层钝化等创新方法，实现1200V和1700 V高性能 GaN HEMT中试产品开发，通过HTRB、HTGB等可靠性评价，成果应用于致能科技等公司系列产品中，显著推动蓝宝石基GaN成为中高压电力电子器件方案的有利竞争者。

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