集成电路制造技术与实践
戴显英 毛维 赵天龙 王树龙 魏葳 元磊 王悦湖 杨力宏 胡辉勇
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1 绪论
1.1 集成电路技术发展历史
1.2 中国集成电路发展历程
1.3 摩尔定律
1.4 集成电路产业链
2 硅单晶与硅片制备
2.1 半导体硅的重要性
2.2 多晶硅的制备
2.3 Si单晶的制备
2.4 硅片的制备
3 氧化
3.1 热氧化的种类及应用
3.2 硅的热氧化生长过程分析
3.3 迪尔-格罗夫氧化动力学分析
3.4 热氧化生长速率
3.5 影响氧化速率的决定性因素
3.6 影响氧化速率的其他因素
3.7 热氧化过程中的杂质再分布
3.8 快速初始氧化阶段
4 扩散
4.1 扩散的基本概念
4.2 扩散系数和扩散方程
4.3 扩散杂质浓度分布
4.4 二维扩散和扩散的局限性
4.5 扩散工艺
5 离子注入
5.1 离子注入基本概念
5.2 离子注入机理
5.3 离子注入分布
5.4 沟道效应
5.5 离子注入损伤
5.6 离子注入退火
5.7 快速热退火
5.8 离子注入应用
6 物理气相淀积
6.1 薄膜制备基本概念
6.2 真空蒸发基本概念
6.3 真空蒸发方式
6.4 真空蒸发应用及局限性
6.5 溅射基本概念
6.6 溅射方法
7 化学气相淀积
7.1 CVD基本概念与应用
7.2 CVD的基本过程
7.3 化学气相淀积动力学分析
7.4 影响淀积速率的因素
7.5 CVD系统
7.6 CVD多晶硅与金属
7.7 CVD二氧化硅
7.8 CVD氮化硅
8 外延
8.1 外延的基本概念
8.2 外延生长模型
8.3 外延生长的影响因素
8.4 外延层杂质分布
8.5 先进的外延技术
9 光刻工艺
9.1 光刻工艺重要性与光刻三要素
9.2 光刻工艺流程(上)
9.3 光刻工艺流程(下)
9.4 光刻分辨率
9.5 光刻胶
9.6 光刻版
9.7 光刻机
9.8 曝光光源
10 刻蚀
10.1 刻蚀参数
10.2 湿法刻蚀
10.3 干法刻蚀
10.4 干法刻蚀的应用
11 金属化
11.1 典型金属化材料及应用
11.2 金属铝的性质与铝互连
11.3 铜互连工艺的关键
11.4 多层互连与平坦化技术
12 工艺集成
12.1 集成电路中的隔离
12.2 Si CMOS IC工艺技术
12.3 双极集成电路和BiCMOS的工艺集成
13 Si CMOS IC技术特征与工艺流程
13.1 Si CMOS IC 工艺发展与技术特征
13.2 现代Si CMOS IC工艺流程一
13.3 现代Si CMOS IC工艺流程二
13.4 现代Si CMOS IC工艺流程三
真空蒸发方式
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