集成电路制造技术与实践

戴显英 毛维 赵天龙 王树龙 魏葳 元磊 王悦湖 杨力宏 胡辉勇

目录

  • 1 绪论
    • 1.1 集成电路技术发展历史
    • 1.2 中国集成电路发展历程
    • 1.3 摩尔定律
    • 1.4 集成电路产业链
  • 2 硅单晶与硅片制备
    • 2.1 半导体硅的重要性
    • 2.2 多晶硅的制备
    • 2.3 Si单晶的制备
    • 2.4 硅片的制备
  • 3 氧化
    • 3.1 热氧化的种类及应用
    • 3.2 硅的热氧化生长过程分析
    • 3.3 迪尔-格罗夫氧化动力学分析
    • 3.4 热氧化生长速率
    • 3.5 影响氧化速率的决定性因素
    • 3.6 影响氧化速率的其他因素
    • 3.7 热氧化过程中的杂质再分布
    • 3.8 快速初始氧化阶段
  • 4 扩散
    • 4.1 扩散的基本概念
    • 4.2 扩散系数和扩散方程
    • 4.3 扩散杂质浓度分布
    • 4.4 二维扩散和扩散的局限性
    • 4.5 扩散工艺
  • 5 离子注入
    • 5.1 离子注入基本概念
    • 5.2 离子注入机理
    • 5.3 离子注入分布
    • 5.4 沟道效应
    • 5.5 离子注入损伤
    • 5.6 离子注入退火
    • 5.7 快速热退火
    • 5.8 离子注入应用
  • 6 物理气相淀积
    • 6.1 薄膜制备基本概念
    • 6.2 真空蒸发基本概念
    • 6.3 真空蒸发方式
    • 6.4 真空蒸发应用及局限性
    • 6.5 溅射基本概念
    • 6.6 溅射方法
  • 7 化学气相淀积
    • 7.1 CVD基本概念与应用
    • 7.2 CVD的基本过程
    • 7.3 化学气相淀积动力学分析
    • 7.4 影响淀积速率的因素
    • 7.5 CVD系统
    • 7.6 CVD多晶硅与金属
    • 7.7 CVD二氧化硅
    • 7.8 CVD氮化硅
  • 8 外延
    • 8.1 外延的基本概念
    • 8.2 外延生长模型
    • 8.3 外延生长的影响因素
    • 8.4 外延层杂质分布
    • 8.5 先进的外延技术
  • 9 光刻工艺
    • 9.1 光刻工艺重要性与光刻三要素
    • 9.2 光刻工艺流程（上）
    • 9.3 光刻工艺流程（下）
    • 9.4 光刻分辨率
    • 9.5 光刻胶
    • 9.6 光刻版
    • 9.7 光刻机
    • 9.8 曝光光源
  • 10 刻蚀
    • 10.1 刻蚀参数
    • 10.2 湿法刻蚀
    • 10.3 干法刻蚀
    • 10.4 干法刻蚀的应用
  • 11 金属化
    • 11.1 典型金属化材料及应用
    • 11.2 金属铝的性质与铝互连
    • 11.3 铜互连工艺的关键
    • 11.4 多层互连与平坦化技术
  • 12 工艺集成
    • 12.1 集成电路中的隔离
    • 12.2 Si CMOS IC工艺技术
    • 12.3 双极集成电路和BiCMOS的工艺集成
  • 13 Si CMOS IC技术特征与工艺流程
    • 13.1 Si CMOS IC 工艺发展与技术特征
    • 13.2 现代Si CMOS IC工艺流程一
    • 13.3 现代Si CMOS IC工艺流程二
    • 13.4 现代Si CMOS IC工艺流程三
现代Si CMOS IC工艺流程三