（通讯员：恩临梁佳博）2017年12月22日上午，应重点实验室张进成教授邀请，北京大学沈波教授为重点实验室师生作了题为“大失配、强极化氮化物半导体的外延生长和物性研究”的特邀学术报告，报告会由马晓华教授主持。

报告会上，沈波教授首先简要地介绍了当前半导体照明、电子器件和紫外固态光源的发展趋势和产业化现状，随后着重分析了氮化物宽禁带半导体及其低维量子结构的主要物理特征和在外延生长面临的关键技术挑战。此外，介绍了北京大学近年来在氮化物半导体及其量子体系外延生长和物性研究上取得的一些突出成果和目前研究进展。最后，沈教授与重点实验室师生们进行了深入的交流和讨论。

沈波教授个人简介：

沈波教授是北京大学理学部副主任、物理学院长江特聘教授、国家973计划项目首席科学家、国家863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、国家“战略性先进电子材料”重点专项总体专家组成员。1995年毕业于日本东北大学材料bepaly手机下载所， 获博士学位。迄今为止一直从事III族氮化物宽禁带半导体材料、物理和器件研究。先后主持和作为核心成员参加国家973计划、863计划、自然科学基金等20多项科研课题，发表SCI收录论文200多篇，论文被引用3000多次，获得/申请国家发明专利40多件，先后获得国家自然科学二等奖、江苏省科技进步一等奖和教育部科技进步一等奖。