以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）和氧化锌（ZnO）为代表的宽禁带半导体是继硅和砷化镓（GaAs）之后的第三代半导体材料，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，可实现高压、高温、高频、大功率、抗辐射微波毫米波器件和短波长光电半导体器件。宽禁带半导体是新一代雷达、通信、电子对抗系统最关键的半导体器件，也是新一代半导体照明关键的器件。

主要研究方向：

◇ GaN和SiC宽禁带半导体微波毫米波器件

◇ GaN半导体光电子器件与半导体照明技术

◇ 宽禁带半导体材料生长核心设备研究

◇ 宽禁带半导体材料和器件新机理、新结构与新技术

◇ 微纳米半导体器件可靠性与SoC设计